بررسی نظری و عملی سلولهای خورشیدی از نوع نیمه رسانا-نیمه رسانا si, cuinse2/gaas
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت معلم تهران - دانشکده علوم
- author حسن خلیلیان
- adviser فرهنگ سهیلیان
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1380
abstract
در این رساله هدف آشنایی با انواع پیلهای خورشیدی و توان، بازده، و اصول کار آنهاست. بدین منظور پس از بررسی کلی طرز کار سیستمهای خورشیدی و معرفی انواع آن، مطالعه خواص اساسی نیمه هادی ها را ضروری میدانیم و عمدتا با فیزیک نیمه هادیهای si, cuinse2, gaas سروکار داریم. سپس سلول خورشیدی بعنوان واحد دریافت کننده انرژی خورشیدی و تبدیل آن به انرژی الکتریکی محور بحث است و در این راستا جذب نور و تولید حاملها و باز ترکیب آنها و پیوند p-n و جریان در تاریکی و روشنائی وعوامل موثر در بازده پیلهای خورشیدی تشریح گردیده است. پیلهای خورشیدی ساخته شده از موادی با شکاف مستقیم که فوتونهای مجاور سطح پیل را جذب میکنند برای پیلهای لایه نازک مناسبتریند. متداولترین پیلهای خورشیدی یعنی پیلهای سیلسیومی با پویند p-n دارای بازدهی بین 12 الی 17% هستند. در نهایت آزمایشهایی روی دو نمونه از سلولهای خورشیدی si, cuinse2/gaas انجام یافته و نتایج تجربی ثبت گردیده اند.
similar resources
گذار مات رسانا-نارسانا در مدل هابارد دوبعدی نیمه پر
We study the Mott transition in the two dimensional Hubbard model by using the variational cluster approximation. The transition potential obtained is roughly Uc ≈ 2 and 6 for square and triangular lattices, respectively. A comparison between results of this approximation and other quantum cluster methods is presented. Our zero-temperature calculation at strong coupling show that the transition...
full textبررسی مُدهای فونون های اپتیکیدر یک نانوساختارِ نیمه رسانا
به کمکِ تقریب دی الکتریکِ پیوسته، مدهای فونون های اپتیکی حاصل از فصلِ مشترکِ یک سیمِ کوانتومی استوانه ای از جنس gaas در یک محیطِ نیمه رسانای قطبی gaxal1-xas بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخۀ متفاوت ( so1, so2 ) از مدهای فونونی سطحی را نشان می دهند. با افزایش بردارِ موج ( )، بسامد هر یک از مدهای فونونی به بسامد یک ساختارِ صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می شود.
full textتهیه پوشش نیمه رسانا از نانوورقه‌های گرافن سنتز شده با لیزر
بهره‌گیری از رسانایی بالای لایه های نازک، یکی از مهم‌ترین اهداف پروژه‌ها در حوزه کاربرد خواص الکترونیکی مواد گرافن‌دار می باشد. نانوورقه‌های گرافن، صفحه‌های موازی متشکل از چندین لایه گرافن با ضخامت کمتر از 100 nm هستند. در این کار ابتدا مستقیماً نانوورقه‌های گرافن سنتز شده با لیزر با کمک پراکنده ساز تجاری DEKAMOL PES، در یک محیط آبی پراکنده شدند که نتیجه آن تشکیل سلی پایدار بود. در این مرحله سل...
full textگذار مات رسانا-نارسانا در مدل هابارد دوبعدی نیمه پر
در این مقاله , گذار مات در مدل هابارد دوبعدی با استفاده از روش تقریبی وردشی خوشه ای بررسی شده است. پتانسیل گذار برای شبکه مربعی تقریباًuc ≈ 2 و برای شبکه مثلثی به دست آمده است. مقایسه ای بین نتایج به دست آمده از روش وردشی خوشه ای و سایر روشهای تقریبی خوشه ای کوانتمی انجام شده است. محاسبات انجام شده در دمای صفر و برهم کنش قوی نشان می دهد که گذار مات هم در شبکه مثلثی و هم در شبکه مربعی در مقایسه ...
full textکنترل ضریب شکست نانو ساختارهای نیمه رسانا
در این رساله، خواص اپتیکی شامل بررسی طیف جذبی، پاشندگی و تغییرات ضریب شکست یک نیمه رسانای نانوساختار نقاط کونتومیingan/gan، بر اساس همدوسی اتمی و تداخل کوانتومی، مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. در این پایان نامه، کنترل خواص اپتیکی یک نیمه رسانای نانوساختار (بعنوان نمونه، نقاط کوانتومی) زمانی که با لیزرهای قوی برهمکنش می کند، بررسی می شود. در مرحله بعد، نتایج ناشی از تغییرات ضریب شکست از ل...
حذف آلاینده های گوگرددار با استفاده از نانواکسیدهای نیمه رسانا
نانو ذرات اکسید مس به روش رسوب دهی مستقیم و نانو ذرات دی اکسید تیتانیوم و دی اکسید تیتانیوم دوپ شده با نقره با روش سل-ژل سنتز شدند. ساختار نانو ذرات سنتز شده توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd) و اندازه و مورفولوژی ذرات توسط میکروسکوپ الکترونی تراگسیل (tem) مورد بررسی قرار گرفت. دی اکسید تیتانیوم و دی اکسید تیتانیوم دوپ شده با نقره در فاز آناتاز کریستاله شدند و الگوی پراش پرتو x ساختار کریستالی نان...
15 صفحه اولMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت معلم تهران - دانشکده علوم
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023